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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.06nF@100V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.06nF@100V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.06nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.055nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
