销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF55-08AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3740pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP17NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@8.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N6F7
工作温度:175℃
功率:158W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL10N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL50N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N65M2
工作温度:150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: