品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N50M2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STE53NC50
工作温度:150℃
功率:460W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:434nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@27A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:560pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:560pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28NM50N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD14NM50NAG
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: