销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N40M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD64N4F6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2415pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:173pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:173pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N105K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@100V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@750mA,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: