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    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: ST
    类型: 1个P沟道
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:3
    商品信息
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    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL9P3LLH6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.615nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8P4LLF6

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@10V,4A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10P6F6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD10P6F6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10P6F6

    阈值电压:4V@250μA

    输入电容:340pF@48V

    功率:35W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    栅极电荷:6.4nC@10V

    类型:1个P沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:160mΩ@10V,5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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