品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5N15F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@2.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6NF20V
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:11.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6NF20V
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:11.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6NF20V
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:11.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6NF20V
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:11.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5N15F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@2.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: