品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040H65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):600psc
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:39.5nC@18V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
输入电容:920pF@400V
导通电阻:55mΩ@20A,18V
阈值电压:4.2V@1mA
功率:221W
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040H65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040H65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040H65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040H65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040H65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: