包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF6N60M2

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8nC@10V

包装方式：管件

输入电容：232pF@100V

连续漏极电流：4.5A

类型：N沟道

导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF3N62K3

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：13nC@10V

包装方式：管件

输入电容：385pF@25V

连续漏极电流：2.7A

类型：N沟道

导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF2N80K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：3nC@10V

包装方式：管件

输入电容：95pF@100V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：4.5Ω@1A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：11.8nC@10V

包装方式：管件

输入电容：311pF@25V

连续漏极电流：2.4A

类型：N沟道

导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF4N80K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：10.5nC@10V

包装方式：管件

输入电容：175pF@100V

连续漏极电流：3A

类型：N沟道

导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STFU9N65M2

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：315pF@100V

连续漏极电流：5A

类型：N沟道

导通电阻：900mΩ@2.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF9N60M2

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：320pF@100V

连续漏极电流：5.5A

类型：N沟道

导通电阻：780mΩ@3A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF4N90K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：5.3nC@10V

包装方式：管件

输入电容：173pF@100V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：2.1Ω@1A，10V

漏源电压：900V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF3LN80K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：2.63nC@10V

包装方式：管件

输入电容：102pF@100V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：3.25Ω@1A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF9N60M2

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：320pF@100V

连续漏极电流：5.5A

类型：N沟道

导通电阻：780mΩ@3A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF3LN80K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：2.63nC@10V

包装方式：管件

输入电容：102pF@100V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：3.25Ω@1A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF9N60M2

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：320pF@100V

连续漏极电流：5.5A

类型：N沟道

导通电阻：780mΩ@3A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF6N60M2

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8nC@10V

包装方式：管件

输入电容：232pF@100V

连续漏极电流：4.5A

类型：N沟道

导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF6N60M2

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8nC@10V

包装方式：管件

输入电容：232pF@100V

连续漏极电流：4.5A

类型：N沟道

导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF4N90K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：5.3nC@10V

包装方式：管件

输入电容：173pF@100V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：2.1Ω@1A，10V

漏源电压：900V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF4N80K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：10.5nC@10V

包装方式：管件

输入电容：175pF@100V

连续漏极电流：3A

类型：N沟道

导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF2N95K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：105pF@100V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@1A，10V

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10P6F6

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：6.4nC@10V

包装方式：管件

输入电容：340pF@48V

连续漏极电流：10A

类型：P沟道

导通电阻：160mΩ@5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STFW1N105K3

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：13nC@10V

包装方式：管件

输入电容：180pF@100V

连续漏极电流：1.4A

类型：N沟道

导通电阻：11Ω@600mA，10V

漏源电压：1050V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF4N80K5

工作温度：-55℃~150℃

功率：20W

阈值电压：5V@100µA

栅极电荷：10.5nC@10V

包装方式：管件

输入电容：175pF@100V

连续漏极电流：3A

类型：N沟道

导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1