采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF140N6F7
工作温度：175℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF140N6F7
工作温度：175℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N20LT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@50µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
