采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB11N65M5
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功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD11N65M2
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
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输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD11N65M2
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功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
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规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：500mΩ@4A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：85W
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：535pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
输入电容：410pF@100V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
栅极电荷：12.5nC@10V
阈值电压：4V@250µA
功率：85W
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：644pF@100V
类型：N沟道
漏源电压：650V
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：9A
功率：85W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
