品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7ANM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
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工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
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功率:45W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
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行业应用:工业,汽车
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功率:45W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
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功率:45W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:14nC@10V
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
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漏源电压:600V
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功率:45W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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