销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:60.5nC@10V
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.9A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N62K3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.4A
类型:MOSFET
导通电阻:680mΩ
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N62K3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.4A
类型:MOSFET
导通电阻:680mΩ
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N62K3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.4A
类型:MOSFET
导通电阻:680mΩ
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:60.5nC@10V
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.9A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N62K3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.4A
类型:MOSFET
导通电阻:680mΩ
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N62K3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.4A
类型:MOSFET
导通电阻:680mΩ
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.06nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:60.5nC@10V
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.9A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.06nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.06nF@100V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:60.5nC@10V
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.9A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:60.5nC@10V
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.9A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:60.5nC@10V
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.9A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14N80K5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:445mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14N80K5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:445mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: