销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50ND
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM50T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF55LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@6.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ST901T
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):4A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@20mA,2A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1800@2A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF55LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10LA
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF55LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10LA
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ST901T
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):4A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@20mA,2A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1800@2A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: