销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N50DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM50T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL45N65M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@100V
连续漏极电流:3.8A€22.5A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@14.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM80
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL45N65M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@100V
连续漏极电流:3.8A€22.5A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@14.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB37N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:577pF@50V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB17N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM50AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: