采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
