销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL10N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU9N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL45N65M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@100V
连续漏极电流:3.8A€22.5A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@14.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU18N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:718pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30N65DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:718pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL45N65M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@100V
连续漏极电流:3.8A€22.5A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@14.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15NM65N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:983pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU18N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:718pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15NM65N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:983pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30N65M2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20N65M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: