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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
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连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
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栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
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连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
栅极电荷：18nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：601pF@25V
功率：25W
包装方式：管件
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
