销售单位:个
规格型号(MPN):STL20N6F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):STL20N6F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:3W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:3W€78W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
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类型:N沟道
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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输入电容:1600pF@25V
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
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