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ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数75个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13.5nC@10V

输入电容：400pF@100V

连续漏极电流：7.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：600mΩ@9A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数250个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13.5nC@10V

输入电容：400pF@100V

连续漏极电流：7.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：600mΩ@9A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STF26N60M2 起订数2个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4V@250μA

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

导通电阻：165mΩ@11A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STP19NF20 起订数75个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：90W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：24nC@10V

输入电容：800pF@25V

连续漏极电流：15A

类型：1个N沟道

导通电阻：160mΩ@10V，7.5A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STP19NF20 起订数250个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：90W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：24nC@10V

输入电容：800pF@25V

连续漏极电流：15A

类型：1个N沟道

导通电阻：160mΩ@10V，7.5A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STF24N65M2 起订数1000个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.06nF@100V

连续漏极电流：16A

类型：1个N沟道

导通电阻：230mΩ@8A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STF24N65M2 起订数100个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.06nF@100V

连续漏极电流：16A

类型：1个N沟道

导通电阻：230mΩ@8A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订数500个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.06nF@100V

连续漏极电流：18A

类型：1个N沟道

导通电阻：190mΩ@10V，9A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STD13N60M2 起订数1000个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：110W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：17nC@10V

输入电容：580pF@100V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@10V，5.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订数100个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：70W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：19nC@10V

输入电容：540pF@50V

连续漏极电流：10A

类型：1个N沟道

导通电阻：550mΩ@10V，4A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订100个装

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

行业应用：工业,汽车

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STD12N65M2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：85W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：16.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：535pF@100V

连续漏极电流：8A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.1pF@100V

导通电阻：420mΩ@10V，4A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订30个装

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

行业应用：工业,汽车

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STD12N65M2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：85W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：16.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：535pF@100V

连续漏极电流：8A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.1pF@100V

导通电阻：420mΩ@10V，4A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STL20N6F7 起订数1000个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

数据手册

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3W€78W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：25nC@10V

输入电容：1.6nF@25V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.4mΩ@10A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订10个装

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

行业应用：工业,汽车

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STD12N65M2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：85W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：16.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：535pF@100V

连续漏极电流：8A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.1pF@100V

导通电阻：420mΩ@10V，4A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST Mosfet场效应管 STD13N60M2 起订数1000个

品牌：ST

分类：Mosfet场效应管

销售单位：个

阈值电压：4V@250μA

功率：110W

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：580pF@100V

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@10V，5.5A

栅极电荷：17nC@10V

连续漏极电流：11A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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