包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
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库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STDLED656
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
漏源电压:500V
栅极电荷:34nC@10V
功率:110W
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:1000pF@50V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:250mΩ@7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: