销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@12.5V
连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@12.5V
连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
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漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@12.5V
连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
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输入电容:740pF@12.5V
连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16409Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
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输入电容:800pF@12.5V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16409Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@12.5V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@12.5V
连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":30,"17+":1562}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16409Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
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输入电容:800pF@12.5V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16409Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@12.5V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
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连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
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连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
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连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
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连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16409Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
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类型:N沟道
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漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16409Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
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导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
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漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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包装清单:商品主体 * 1
库存: