品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":276,"13+":70}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":276,"13+":70}
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
阈值电压:1.55V@250µA
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17301Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
输入电容:3480pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
阈值电压:1.55V@250µA
导通电阻:2.6mΩ@25A,8V
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
栅极电荷:18nC@4.5V
输入电容:2660pF@12.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:28A€100A
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: