品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17305Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:18.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17305Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:18.3nC@4.5V
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输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
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输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
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输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17305Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:18.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17305Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:18.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
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连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
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品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
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输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:3100pF@12.5V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17305Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
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