采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
