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    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88584Q5DCT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88584Q5DCT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88584Q5DCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12400pF@20V

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:0.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订981个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订981个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":39000,"15+":125229}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18534KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18534KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1880pF@30V

    连续漏极电流:45A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18534KCS 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18534KCS 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1880pF@30V

    连续漏极电流:45A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订1750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501LT 起订1750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5AT 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5AT 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€150W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€150W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87501L 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":39000,"15+":125229}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87501L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

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