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    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订448个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订448个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"12+":4000,"14+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.96nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:198pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25404Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25404Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25404Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€96W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2120pF@10V

    连续漏极电流:104A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23285F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@6V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订30000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订30000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25402Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€69W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@10V

    连续漏极电流:15A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订11个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订11个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25402Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€69W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@10V

    连续漏极电流:76A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25483F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.959nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:198pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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