品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: