销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3ET
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:13.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:13.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16404Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@12.5V
连续漏极电流:21A€81A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17510Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:20A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3ET
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87353Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:13A€65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@12.5V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@14A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3ET
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351ZQ5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:13.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:259W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3ET
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: