品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015T
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25201W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25201W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1086}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25201W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: