品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: