品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87355Q5DT
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.8W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2.8W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
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阈值电压:1.9V@250µA
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连续漏极电流:45A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
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功率:2.8W
阈值电压:1.9V@250µA
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类型:2N沟道(双)非对称型
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漏源电压:30V
连续漏极电流:45A
阈值电压:1.9V@250µA
类型:2N沟道(双)非对称型
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功率:2.8W
ECCN:EAR99
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功率:2.8W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
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