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    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17559Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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