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    连续漏极电流
    品牌: TI
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:6
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q3A

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5μA

    栅极电荷:281pC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.19Ω@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.3nF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17510Q5A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:20A€100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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