采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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输入电容：2683pF@20V
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
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功率：74W
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连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
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功率：74W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
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连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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栅极电荷：38nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2680pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
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栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2680pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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