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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
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功率：2.8W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17309Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：CSD17309Q3
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
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类型：2N沟道（双）非对称型
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规格型号(MPN)：CSD17309Q3
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ECCN：EAR99
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输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：CSD17309Q3
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
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ECCN：EAR99
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类型：2N沟道（双）非对称型
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规格型号(MPN)：CSD17309Q3
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类型：N沟道
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输入电容：1860pF@15V
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类型：2N沟道（双）非对称型
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类型：N沟道
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功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17309Q3
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功率：2.8W
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连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
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包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17309Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：45A
阈值电压：1.9V@250µA
类型：2N沟道（双）非对称型
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
ECCN：EAR99
输入电容：1860pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17309Q3
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输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
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规格型号(MPN)：CSD17309Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.7V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17309Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17309Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17309Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17309Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
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输入电容：1860pF@15V
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类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
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