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    品牌: TI
    漏源电压: 20V
    阈值电压: 1.4V @ 250µA
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    商品信息
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    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订数5000个
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订数5000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:15.2nC @ 4.5V

    输入电容:2390pF @ 10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2 N 沟道(双)共源

    导通电阻:12.4 毫欧 @ 10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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