采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015T
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015T
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
