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    品牌: TI
    漏源电压: 20V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: P沟道
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3A 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3A 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25402Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€69W

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@10V

    连续漏极电流:76A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.913nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.913nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25402Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€69W

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@10V

    连续漏极电流:76A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015 起订15个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015 起订15个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订29个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订29个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.96nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:198pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订33个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订33个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.913nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25404Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25404Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25404Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€96W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2120pF@10V

    连续漏极电流:104A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25402Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25402Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€69W

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@10V

    连续漏极电流:15A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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