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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：500}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4670}
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规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
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功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
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功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4670}
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规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
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阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
功率：6W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
功率：6W
包装清单：商品主体 * 1
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