销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88539ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88537ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NQ5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@30V
连续漏极电流:17A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NKCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NQ5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:12A€60A
类型:N沟道
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88539NDT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:12A€60A
类型:N沟道
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88537ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: