品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
输入电容:1.56nF@15V
连续漏极电流:100A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€53W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2.31nF@15V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15380F3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.35V@2.5μA
栅极电荷:281pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.5pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.19Ω@100mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
输入电容:462pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16327Q3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@12.5V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17510Q5A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:20A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
输入电容:190pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.3nC@4.5V
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@8V,500mA
阈值电压:1.1V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:2.7nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
导通电阻:30mΩ@4A,8V
阈值电压:1.8V@250μA
功率:2.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3W€53W
输入电容:2.31nF@15V
漏源电压:30V
连续漏极电流:60A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: