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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
输入电容：1.56nF@15V
连续漏极电流：100A€21A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2.31nF@15V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：200pF@6V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
输入电容：674pF@6V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15380F3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.35V@2.5μA
栅极电荷：281pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.5pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.19Ω@100mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
输入电容：190pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.3nC@4.5V
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@8V，500mA
阈值电压：1.1V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：2.7nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
导通电阻：30mΩ@4A，8V
阈值电压：1.8V@250μA
功率：2.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：3W€53W
输入电容：2.31nF@15V
漏源电压：30V
连续漏极电流：60A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
