品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@12.5V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":5572}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@12.5V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16415Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€113W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@12.5V
连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@12.5V
连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16323Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12.5V
连续漏极电流:21A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@12.5V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16323Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12.5V
连续漏极电流:21A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16323Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12.5V
连续漏极电流:21A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16323Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12.5V
连续漏极电流:21A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@12.5V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: