销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
阈值电压:1.65V@250µA
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@15V
连续漏极电流:34A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
阈值电压:1.65V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:34A€100A
类型:N沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
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连续漏极电流:34A€100A
类型:N沟道
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2V@250µA
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类型:N沟道
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
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导通电阻:1.4mΩ@40A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
阈值电压:1.65V@250µA
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栅极电荷:39nC@4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
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功率:3.2W
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导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
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类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2V@250µA
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连续漏极电流:34A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2V@250µA
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导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
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类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@40A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
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功率:3.2W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
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漏源电压:30V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2V@250µA
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连续漏极电流:34A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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类型:N沟道
阈值电压:1.65V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.65V@250µA
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功率:3.1W€191W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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