包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:259W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:259W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":684}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: