采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
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输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000}
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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