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    品牌: TI
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    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.913nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订29个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订29个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4T

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    功率:500mW

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    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.96nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:198pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订33个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订33个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

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    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    栅极电荷:0.91nC@10V

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    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25483F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:198pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@500mA,8V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@10V

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    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

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    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25484F4 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订11个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订11个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T 起订750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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