品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87313DMST
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4290pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17382F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87313DMST
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4290pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87313DMST
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4290pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17382F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17382F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17382F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87313DMST
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4290pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87313DMST
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4290pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17382F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87313DMST
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4290pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: