采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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类型：P沟道
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漏源电压：12V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
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输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1000}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
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输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
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输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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栅极电荷：2.7nC@4.5V
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输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
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输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
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栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
