销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88584Q5DCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12400pF@20V
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:0.95mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2683pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18512Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7120pF@20V
连续漏极电流:211A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.45V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@10V
连续漏极电流:159A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.45V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@10V
连续漏极电流:159A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2683pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: