品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87588N
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:736pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87353Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381P
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87384MT
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:7.7mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87588NT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:736pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87588N
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:736pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381P
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87588NT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:736pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87588NT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:736pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87588NT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:736pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87384M
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:7.7mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87353Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: